一种新型SGOI SiGe异质结双极型晶体管

作     者：于明道 王冠宇 苗乃丹 文剑豪 周春宇 王巍 YU Mingdao;WANG Guanyu;MIAO Naidan;WEN Jianhao;ZHOU Chunyu;WANG Wei

作者机构：重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室河北秦皇岛066004 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第5期

页      面：735-740页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61404019 61704147) 

主　　题：绝缘衬底上硅锗 硅锗异质结双极晶体管 电流增益 特征频率 

摘      要：为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。