PVT同质外延生长AlN单晶初期模拟及其实验研究

作     者：黄嘉丽 王琦琨 贺广东 雷丹 付丹扬 龚建超 任忠鸣 邓康 吴亮 Huang Jiali;Wang Qikun;He Guangdong;Lei Dan;Fu Danyang;Gong Jianchao;Ren Zhongming;Deng Kang;Wu Liang

作者机构：上海大学省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2019年第48卷第10期

页      面：3209-3214页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(U1560202,51401116) 上海市科委基金(13DZ1108200,13521101102) 

主　　题：AlN单晶 同质外延生长 初始长晶 多相流传质 模拟仿真 

摘      要：使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件及自主开发的PVT法有限元多相流传质模块对用自主设计的全自动、双电阻加热气相沉积炉同质外延生长AlN单晶初期温度场及传质过程进行了模拟仿真研究,并基于模拟结果开展了同质外延长晶实验。模拟仿真及实验研究表明:通过生长初期的梯度反转工艺可有效消除氧、碳及氢等杂质表面污染;坩埚的合理位置对同质外延生长AlN单晶时的温度梯度、Al/N蒸气传输及生长速率等至关重要;在距炉体底部420mm处为理想的坩埚埚位。