W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现

作     者：张贞鹏 方园 孟范忠 Zhang Zhenpeng;Fang Yuan;Meng Fanzhong

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2019年第44卷第9期

页      面：675-680页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 

主　　题：微波单片集成电路(MMIC) GaAs PHEMT W波段接收前端 场效应晶体管(FET) 三次谐波混频 

摘      要：研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。