ZrB_2体材及薄膜制备技术研究

作     者：刘朋闯 庞晓轩 王庆富 张鹏程 李强 王志刚 Liu Pengchuang;Pang Xiaoxuan;Wang Qingfu;Zhang Pengcheng;Li Qiang;Wang Zhigang

作者机构：中国工程物理研究院材料研究所绵阳621900 中核包头核燃料元件股份有限公司包头014035 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2014年第34卷第6期

页      面：636-639页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2012B0302048) 

主　　题：ZrB2 体材 薄膜 结合性能 

摘      要：采用冷等静压成型结合高温烧结的方法制备ZrB2体材,并用磁控溅射方法在UO2芯块表面制备出ZrB2薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线能谱对烧结体及膜层的物相、形貌和成分进行了表征。采用热循环冲击的方法测试膜基结合性能。结果表明,所制体材能够满足磁控溅射制备ZrB2薄膜的需求。体材和膜层均为单相ZrB2,ZrB2薄膜生长均匀、致密且与基体有着良好的结合性能,膜层可以承受80℃到600℃快速升降温5次的热循环而仍然与基体紧密结合。