压力传感器半导体薄膜电桥优化设计
The Selective Design of Thin Semiconductors Films Bridge for Pressure Sensors作者机构：北京理工大学
出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)
年 卷 期：1995年第14卷第6期
页 面：20-23页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0802[工学-机械工程]
摘 要：在压力传感器芯片中，可由半导体淀积膜制作惠斯登电桥，其四臂电阻位置要满足对等、平衡、对称的要求。以往设计难免重复计算，试探盲目性大。本文经计算机优化为图、表，可以一步到位。
维普期刊数据库
同方期刊数据库