N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷嫁接高岭石

作     者：纪阳 刘钦甫 张浩 左小超 王定 张士龙 JI Yang;LIU Qinfu;ZHANG Hao;ZUO Xiaochao;WANG Ding;ZHANG Shilong

作者机构：中国矿业大学(北京)地球科学与测绘工程学院北京100083 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2015年第43卷第8期

页      面：1150-1155页

核心收录：

学科分类：0709[理学-地质学] 070901[理学-矿物学、岩石学、矿床学] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(No.51034006) 

主　　题：高岭石 N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷 嫁接 甲氧基 

摘      要：以甲氧基嫁接高岭石(K/M)为前驱体,于常温条件下制备出N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷嫁接高岭石(K/AEAPTS),并应用X射线衍射、Fourier变换红外光谱、固态硅核磁共振谱分析、热分析、透射电子显微镜、比表面积及孔结构分析等手段对复合物进行分析。结果表明:高岭石经AEAPTS嫁接后,层间距扩大至1.91 nm,比表面积和孔容分别由10.0 m2/g、0.048 cm3/g增至22.4 m2/g、0.081 cm3/g。AEAPTS与高岭石的嫁接方式存在双齿(T2)和三齿(T3)两种结构,分别占42.2%和57.8%。AEAPTS的嫁接破坏了高岭石层间的氢键,加剧了高岭石自身结构中硅氧四面体片层与铝氧八面体片层之间的错位,使得K/AEAPTS复合物的部分片层剥离、卷曲变形。