紫外有机发光器件的激子形成区域优化与掺杂调控

作     者：莫炳杰 刘黎明 王红航 游凤姣 魏斌 张小文 MO Bing-jie;LIU Li-ming;WANG Hong-hang;YOU Feng-jiao;WEI Bin;ZHANG Xiao-wen

作者机构：桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004 广西信息科学实验中心广西桂林541004 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室广东中山528402 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2016年第37卷第2期

页      面：213-218页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家自然科学基金(61275041 61565003) 广西教育厅重点项目(KY2015ZD046) 中山市科技计划(2014A2FC305 2014A2FC306)资助项目 

主　　题：紫外有机电致发光器件 载流子调控 激子 掺杂 

摘      要：采用空穴传输兼发光层CBP和电子传输兼发光层TAZ构建了紫外有机电致发光器件（UVOLED）,通过调控功能层厚度可以优化激子形成区域,进而改善器件性能。实验结果表明：CBP厚度的变化对器件性能影响甚微,而TAZ厚度变化则有显著影响。当CBP和TAZ厚度分别为50 nm和30 nm时,获得了最大辐照度为4.4 m W/cm2@270 m A/cm2、外量子效率（EQE）为0.94%@12.5 m A/cm2,发光来自于CBP主发光峰~410nm以及TAZ肩峰~380 nm的UVOLED器件。在此基础上,通过在CBP/TAZ界面引入超薄[CBP∶TAZ]掺杂层可以加速激子复合,降低器件驱动电压,同时还有利于改善载流子平衡性,提高发光效率（最大EQE达到了0.97%@20 m A/cm2）而不影响光谱特性。