SOI工艺的GOI可靠性结构优化与工艺改善
Gate Oxide Integrity Reliability Test Structure Optimize and Process Improve on SOI Substrate作者机构：无锡华润上华科技有限公司江苏无锡214000
出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)
年 卷 期：2013年第47卷第12期
页 面：16-18页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：为获得更高性能晶体管,传统的体硅衬底材料逐渐被绝缘体上硅(SOI)衬底取代。主要讨论SOI器件中栅氧化层完整性(GOI)的相关问题,并针对SOI器件设计专用的栅氧可靠性测试结构。由于体硅与SOI的差异导致GOI的性能也有较大差异,在同样工艺条件下SOI器件GOI特性表现更差。经大量实验数据验证,给出了较好的解决方案,通过多晶硅栅刻蚀后的修复工艺优化,在不影响器件特性前提下提升了GOI性能。
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