激光脉冲退火提高器件的性能
Laser Spike Annealing Improves Leading-Edge Devices作者机构：Ultratech Inc.
出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)
年 卷 期：2009年第26卷第5期
页 面：33-36页
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
主 题：逻辑器件 退火工艺 激光脉冲 性能 存储器 LSA 微秒级
摘 要：毫秒和微秒级别的LSA退火工艺可以提高逻辑器件和存储器器件的性能。降低热预算需要更短时间的退火工艺。
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