掺硫硒化镓晶体在太赫兹波段的光学特性

作     者：罗志伟 古新安 朱韦臻 唐维聪 ANDREEV YURY LANSKII Grigory MOROZOV Alexander ZUEV Vladimir LUO Zhi-wei;GU Xin-an;ZHU Wei-chen;TANG Wei-cong;ANDREEV YURY;LANSKII Grigory;MOROZOV Alexander;ZUEV Vladimir

作者机构：交通大学电子物理系中国新竹30010 Institute of Monitoring of Climatic and Ecological Systems of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences Tomsk Russia 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2011年第19卷第2期

页      面：354-359页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国际合作计划资助项目(No.NSC96-2923-M-009-001-MY3) 

主　　题：掺硫硒化镓晶体 太赫兹辐射 太赫兹时域光谱 

摘      要：利用太赫兹时域光谱技术测量了掺硫硒化镓（GaSe1-xSx）晶体在太赫兹波段的光学参数,包括折射系数、吸收系数等。使用自由空间电光取样法获得了太赫兹电磁波的脉冲波形,对不同硫掺杂量的硒化镓晶体进行了研究,在硫的掺杂量为0,0.01,0.14,0.26,0.37时,在0.22.0 THz测得了GaSe1-xSx的折射系数、吸收系数等光学参数。此外还在吸收光谱上观察到E′^（2）和E″^（2）两个声子振动模态,其强度与频率会随着硫的掺杂量而改变,且即使是微量的硫掺杂也会影响吸收光谱上的声子振动模态。最后,在相位匹配ee-e的条件下,模拟了利用锁模钛蓝宝石激光使此类晶体产生太赫兹辐射的可能性。