单材料双功函数栅MOSFET的电容模型

作     者：张伟 徐太龙 周茂秀 赵强 代月花 

作者机构：安徽大学电子信息工程学院合肥230601 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2013年第38卷第4期

页      面：268-272页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61006064) 安徽省高校优秀青年基金项目(2012SQRL013ZD) 安徽大学青年研究基金项目(KJQN1011) 

主　　题：单材料双功函数栅 MOSFET 电容 表面势 等效电路 

摘      要：基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,分别给出了SMDWG MOSFET的栅-源和栅-漏电容的解析表达式,物理概念清晰,且参数可调。通过与MEDICI模拟结果比较和分析,进一步验证了该物理模型的正确性和可行性。然后,基于上述模型设计了SMDWG MOSFET的电容等效电路,发现在考虑总电容的时候,只需要考虑其中的一个分电容,有效简化了对该器件的计算和分析,对器件的设计和应用具有一定的参考意义。