Nd∶GdVO_4晶体生长及其1064nm的激光特性
Growth and Laser Properties of Nd∶GdVO 4 Crystal at 1064nm作者机构:山东大学晶体材料国家重点实验室晶体材料研究所济南250100 DepartmentofElectronicEngineering CentreforLasersandApplicationsMacquaireUniversity
出 版 物:《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期:1999年第28卷第3期
页 面:229-232页
核心收录:
学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要:本文报道了用 Czochralski 方法生长 Nd∶ Gd V O4 晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在808 .5nm 有吸收峰,其发射波长在1064nm 。晶体中掺 Nd 浓度的原子分数为1 .56 % 的 Nd∶ Gd V O4 的4 F3/2 荧光寿命为100μs 。用激光二极管泵浦1m m 厚的 Nd∶ Gd V O4 晶体,得到了超过1 W1064nm 的输出光,泵浦阈值为20m W,光光转换效率为55 .9 % ,斜效率为63 % 。