单苯分子器件I-V特性的紧束缚近似法研究(英文)
Investigation into I-V Characteristics of Single-Benzene Molecular Device by Means of Tight-Binding Method作者机构：华南理工大学物理科学与技术学院广东广州510640
出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))
年 卷 期：2005年第33卷第3期
页 面：60-62页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的I V特性进行了研究,所得结果近似表现出了MOS(Metal Oxide Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I V特性随温度的变化规律.发现:电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响.文中所得结论为分子器件和纳米器件的开发提供了理论基础.
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