铜布线化学机械抛光的失效研究

作     者：周国安 柳滨 王学军 种宝春 ZHOU Guo-an;LIU Bin;WANG Xue-Jun;CHONG Bao-chun

作者机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所北京东燕郊101601 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：2008年第37卷第10期

页      面：43-45,55页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：铜 化学机械平坦化 钽 碟形缺陷 侵蚀 

摘      要：分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程;在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性。分析100μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大。整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大。最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大。