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Ag掺杂In_2S_3薄膜的拉曼光谱研究

Raman spectroscopy of In_2S_3:Ag thin films

作     者:林斯乐 马靖 程树英 LIN Si-le;MA Jing;CHENG Shu-ying

作者机构:福州大学物理与信息工程学院福建福州350018 

出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期:2013年第44卷第18期

页      面:2724-2726页

核心收录:

学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(31076063 61177072) 福州大学科技发展基金资助项目(2011-XQ-28) 

主  题:In2S3薄膜 掺杂 拉曼光谱 

摘      要:利用拉曼光谱结合XRD与SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的In2S3薄膜进行了分析研究。XRD测试结果确定了In2S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-1 3条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨胀引起的。结合部分拉曼谱线半高宽的展宽证实了掺杂后薄膜中存在间隙Ag原子;SEM的测试结果进一步证实Ag掺杂后In2S3晶格存在膨胀,并说明了In2S3薄膜的生长方式。

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