硅纳米线拉曼光谱的研究
The Study on Raman Spectra of Si Nanowires作者机构:湖南大学材料科学与工程学院湖南长沙410082
出 版 物:《光谱学与光谱分析》 (Spectroscopy and Spectral Analysis)
年 卷 期:2007年第27卷第4期
页 面:725-729页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:国家教育部高等学校博士点基金项目(20040532014)资助
主 题:硅纳米线 拉曼光谱 红移 不对称宽化 声子限制效应 激光加热效应 Fano型干涉
摘 要:声子限制效应会引起本征硅纳米线拉曼光谱红移及不对称宽化,但研究发现其并非引起硅纳米线拉曼光谱改变的主要因素。研究表明,由于在拉曼光谱测量中,通常使用的入射激光功率都在5mW以上,激光加热会导致很高的局部温度,从而引起拉曼光谱大幅度红移并对称宽化,这是硅纳米线拉曼光谱红移的主要影响因素。另外,激光功率很高时,由激光激发的载流子会与声子发生Fano型干涉,从而使硅纳米线拉曼光谱发生Fano型红移和不对称宽化。除此之外,对小直径本征硅纳米线,声子限制效应导致波矢选择定弛则弛豫,使不在布里渊区中心的声子也可以参与拉曼散射,因而其拉曼光谱中除常见的几个拉曼峰外还会出现新拉曼峰。