锗基石墨烯能带加工：锰合金化插层

作     者：崔奋为 胡旭东 朱海龙 黄本锐 马妮 李昂 CUI Fenwei;HU Xudong;ZHU Hailong;HUANG Benrui;MA Ni;LI Ang

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院量子电子学联合实验室上海201210 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2019年第42卷第8期

页      面：56-61页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：上海市自然科学基金(No.18ZR1447300)~~ 

主　　题：石墨烯 扫描隧道显微镜 插层 能带工程 

摘      要：在石墨烯或其异质结中引入带隙是石墨烯能带工程研究的重要课题。借助合金化的方法在石墨烯和锗[Ge(110)]衬底之间成功插入二维Mn-Ge合金岛,并对此异质结构开展微观原子结构及低能电子激发的扫描隧道显微学研究。在不同石墨烯覆盖度的样品中,发现了一维纳米线和二维平板合金岛插层,在缺乏石墨烯保护的合金表面,二维合金岛可以恢复三维生长。Mn-Ge合金纳米线和二维岛插层使石墨烯分别打开了400meV和200meV的能隙,为改变石墨烯的能带结构提供了可行的方法。