ITO薄膜的磁控溅射工艺优化研究
Growth of Indium Tin Oxides Films by Magnetron Sputtering作者机构：华南理工大学电子与信息工程学院广州510640 上海曙光机械制造厂有限公司上海200127
出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)
年 卷 期：2009年第29卷第3期
页 面：324-327页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响。实验结果表明:当基底加热温度为295℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8%即主要工艺参数皆位于最佳范围时,在厚度为5mm的普通浮法玻璃基底上,可制备出表面电阻为18Ω、可见光透过率超过80%的ITO薄膜。XPS测试结果表明:该ITO薄膜的内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别在5.8%和85%左右。
维普期刊数据库
同方期刊数据库