用Al或Mo /Al /Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法(英文)

作     者：劉聖烈 崔螢石 金奉柱 柳在一 李禹奉 李貞烈 Seong-yeol YOO;Hyung-suk CHOI;Bong-joo KIM;Jai-il RYU;Woo-bong LEE;Jung-yeol LEE

作者机构：京东方科技集团股份有限公司中央研究院 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2006年第21卷第5期

页      面：501-505页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 081001[工学-通信与信息系统] 

基　　金：Supported by Key Itemof Beijing Scientific and Technical Project(No .D0304002) 

主　　题：液晶显示器 腐蚀 Al,Mo/Al/Mo 等离子体处理 

摘      要：为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。