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基于ADS宽带微波低噪声放大器设计与仿真

Design and simulation of broadband microwave low-noise amplifier based on ADS

作     者:马翠红 靳伟超 陈宇擎 杨友良 MA Cuihong;JIN Weichao;CHEN Yuqing;YANG Youliang

作者机构:华北理工大学电气工程学院 

出 版 物:《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期:2019年第42卷第15期

页      面:170-174,180页

学科分类:080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

基  金:国家自然科学基金项目(61171058)~~ 

主  题:低噪声放大器 ADS 负反馈 自偏置 共源级联 阻抗匹配 增益平坦度 

摘      要:文章主要研究低噪声放大器在宽频带范围内增益平坦度低、阻抗匹配差的问题。选用Avago公司生产的具有高动态范围和低噪声特性的PHEMT器件ATF-38143晶体管,采用自给偏置共源,负反馈结构,基于ADS仿真设计完成一款两级级联的宽带低噪声放大器。该放大器利用源极串联反馈电感和输入端接双支节微带线的匹配方法。仿真结果显示放大器在1.0~3.0GHz的频带范围内,输入输出回波损耗均小于-10dB;系统稳定性因子K1;噪声系数为(1.6±0.4)dB;最大增益为26.5dB,增益平坦度缩小到±0.5dB。

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