太赫兹宽带非对称传输器件的研究
Study on Terahertz Broadband Asymmetric Transmission Devices作者机构:重庆邮电大学光电工程学院
出 版 物:《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期:2019年第40卷第4期
页 面:472-475页
学科分类:0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:重庆邮电大学新方向培育计划项目(A2014-116)
摘 要:提出一款双层双L形太赫兹非对称传输器件,其结构单元由典型的金属-介质-金属结构组成,顶层为轴对称的双L形金属层,底层为中心对称的双L形金属层。在1.174~1.420THz范围内,当x极化波正向垂直入射时,该器件的非对称传输参数大于0.6,其中在1.207~1.377THz范围内非对称传输参数大于0.8,在1.334THz时非对称传输参数达到峰值0.859。最后,讨论了材料的选择和入射角度对器件非对称传输性能的影响。该非对称传输器件具有频带宽、非对称传输明显等特点,可用于太赫兹二极管、太赫兹开关等功能器件。