ThSiO_4:V^(4+)晶体的光谱及EPR参量的理论研究
Theoretical Studies of the Optical Spectra and EPR Parameters for V^(4+) in ThSiO_4 Crystal作者机构：宜宾学院物理与电子工程系宜宾644007
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2008年第37卷第5期
页 面：1145-1147页
核心收录：
学科分类：07[理学] 0817[工学-化学工程与技术] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
主 题：晶体场理论 电子顺磁共振参量 缺陷结构 ThSiO4:V^4+晶体
摘 要：基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4+晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥。计算结果与实验发现很好吻合。由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息。对上述结果进行了讨论。
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