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脉冲激光沉积法制备红外光学SiC薄膜特性研究

Research on infrared optical properties of SiC films by pulsed laser deposition

作     者:黄国俊 陆益敏 程勇 田方涛 米朝伟 万强 Huang Guojun;Lu Yimin;Cheng Yong;Tian Fangtao;Mi Chaowei;Wan Qiang

作者机构:陆军工程大学光电技术研究所 

出 版 物:《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期:2019年第48卷第7期

页      面:136-140页

核心收录:

学科分类:0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(61705268) 

主  题:脉冲激光沉积 SiC薄膜 红外光谱 光学性能 

摘      要:采用脉冲激光沉积法在锗基底制备无氢SiC薄膜,研究了激光能量对SiC薄膜显微结构、成分和红外光学性能的影响规律。利用傅里叶红外光谱仪测量了锗基底SiC薄膜样品的红外透射光谱,其在785 cm^-1附近有一个强烈Si-C键特征吸收峰,并在红外波数4 000~1 300 cm^-1之间具有良好的透过性。通过对透射光谱拟合计算可知:在红外波段2.5~7.7μm之间,SiC薄膜的折射率和消光系数均随着激光能量的增加而增大,折射率大约从2.15上升到2.33,激光能量从400 mJ增加到600 mJ,且当激光能量为400、500 mJ时,消光系数均在10^-3量级以内,光学吸收很小。研究表明,SiC薄膜在红外2.5~7.7μm波段是一种优异的光学薄膜材料。

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