SiC薄膜的制备和发光特性的研究
Preparation and Photoluminescence Properties of Silicon Carbide Films作者机构:河北北方学院理学院河北张家口075000
出 版 物:《河北北方学院学报(自然科学版)》 (Journal of Hebei North University:Natural Science Edition)
年 卷 期:2009年第25卷第4期
页 面:7-9,13页
基 金:河北省教育厅自然基金项目(2004402) 张家口市科技局项目(060178)
摘 要:目的制备SiC薄膜并对其发光特性进行研究.方法用射频溅射法在玻璃衬底上制备SiC薄膜,退火处理后并利用光致发光谱(PL)对发光性能进行分析.结果SiC薄膜样品在紫外区存在360 nm和370nm两个发光峰,峰的强度都随着腐蚀时间的增长而增加,在t=20 min时达到最大,然后强度减小,而且峰的强度随退火温度升高而增加,在蓝光区存在470 nm发光峰,峰的强度随退火温度升高而增加.结论玻璃衬底腐蚀时间为20 min,SiC沉积时间为1 h时样品表现出了比较好的发光特性,在紫外区和蓝光区出现了光致发光,样品的发光强度随退火温度的增加显著增强.