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掺铟氧化锌纳米盘的制备、结构及性质研究

Fabrication and Characterization of In-doped Zinc Oxide Nanodisks

作     者:刘娟 张跃 齐俊杰 贺建 黄运华 张晓梅 LIU Juan;ZHANG Yue;QI Jun-Jie;HE Jian;HUANG Yun-Hua;ZHANG Xiao-Mei

作者机构:北京科技大学材料物理与化学系 

出 版 物:《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期:2006年第22卷第1期

页      面:38-42页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基  金:国家自然科学基金重点项目(50232030) 国家杰出青年基金(50325209) 教育部科学技术研究重点项目(104022) 国家自然科学基金(50572005)资助 

主  题:In掺杂 ZnO 纳米盘 光致发光 

摘      要:热蒸发Zn、In2O3和C粉混合物,在没有催化剂的条件下制备出掺铟氧化锌纳米盘.纳米盘呈六边形或十二边形,均是结晶完好的纤锌矿结构的单晶,对角线长度约1 ̄3μm,厚度40 ̄100nm.纳米盘的生长是由自催化固-液-气(V-L-S)机理控制,在实验条件下Zn和In的液滴抑制纳米盘[0001]方向的生长.EDS分析表明,六边形纳米盘和十二边形纳米盘中In的含量相近,约为2.2%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位稍有蓝移,同时半高宽(HWHM)变大,没有观察到绿光发射峰位.

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