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离子注入氧化锌纳米晶体光致发光特性(英文)

Photoluminescence of Ion Implanted ZnO Nanocrystals

作     者:HARRIMAN T A HILDEBRAND D S LUCCA D A LEEJ-K WANG Y Q NASTASI M 

作者机构:美国俄克拉荷马州立大学机械与航空航天工程学院stillwaterok74078 美国匹兹堡大学机械工程与材料科学系pittsburghpa15261 美国洛斯阿拉莫斯国家实验室材料科学与技术室losalamosnm87545 美国内布拉斯加大学林肯分校内布拉斯加能源科学研究中心lincolnne68583 

出 版 物:《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期:2012年第10卷第5期

页      面:379-383页

核心收录:

学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基  金:US National Science Foundation(CMMI-0529085) 

主  题:氧化锌 离子注入 缺陷 光致发光 

摘      要:为进一步了解离子注入过程对纳米晶体发光响应的损伤效果,研究了注入氢离子和氦离子对氧化锌纳米晶体光致发光(PL)特性的影响.首先在二氧化硅衬底上制备了直径为4 nm和9 nm的氧化锌纳米晶体薄膜,接着在室温下向生成的薄膜中注入氢离子和氦离子,并研究其PL响应变化.结果表明,与未注入离子的纳米晶体相比,注入氦离子导致缺陷PL发光增加,而当注入氢离子之后,缺陷发光大幅降低,表明氢原子对注入损伤有钝化作用.比较近谱带边沿(NBE)与缺陷发光之比发现,较大颗粒的纳米晶体其近谱带边沿与缺陷发光比在注入氢离子后增大,而在注入氦离子后降低.该规律同样适用于较小颗粒的纳米晶体,但其近谱带边沿与缺陷发光比在注入氢离子之后的增幅比大颗粒晶体的小得多.

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