恒定电场下双磁垒结构中的电子输运行为
TRANSPORT OF ELECTRONS IN DOUBLE\|BARRIER MAGNETIC STRUCTURES UNDER A CONSTANT ELECTRIC FIELD 作者机构：清华大学现代应用物理系北京100084
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1999年第48卷第9期
页 面：1723-1732页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家高技术研究发展计划 清华大学科研基金
摘 要：对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究．分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度．计算结果表明，在相当宽广的非共振电子入射能区，外加电场下电子的传输概率比无电场时增加．对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构，共振减弱；对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构，无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振，这时的电子可实现理想的共振隧穿．研究同时表明，磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导．
维普期刊数据库
同方期刊数据库