热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究
Study on Improving Mechanism of Uniformity of EL2Distribution in Undoped LEC SI GaAs by Heat Treatment作者机构:河北工学院
出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期:1994年第14卷第1期
页 面:85-90页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:根据EL2分布的热处理行为和As沉淀分布特征的实验结果,讨论了As沉淀对EL2分布的影响和热处理改善EL2分布均匀性的机理。