咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >热处理改善未掺杂LEC  GaAs中EL2分布均匀性机理的研... 收藏

热处理改善未掺杂LEC  GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

Study on Improving Mechanism of Uniformity of EL2Distribution in Undoped LEC SI GaAs by Heat Treatment

作     者:杨瑞霞 

作者机构:河北工学院 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:1994年第14卷第1期

页      面:85-90页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:EL2 热处理 分布 沉淀 GaAs 

摘      要:根据EL2分布的热处理行为和As沉淀分布特征的实验结果,讨论了As沉淀对EL2分布的影响和热处理改善EL2分布均匀性的机理。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分