基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源（英文）

作     者：王健婧 Suvankar BISWAS Mohamed H.AHMED Michael DE ROOIJ Jianjing WANG;Suvankar BISWAS;Mohamed H. AHMED;Michael DE ROOIJ

作者机构：Efficient Power Conversion El Segundo CA 90245 U.S.A. Center for Power Electronic Systems Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg VA 24061 U.S.A. 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2019年第17卷第3期

页      面：91-102页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：氮化镓 场效应晶体管 48 V电源架构 总线电源 多相变换器 多电平变换器 LLC谐振变换器 

摘      要：48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET(gallium nitride field effect transistor)开辟了一种新方法,可实现前所未有的转换器性能和小型化。评估了采用与适当功率等级相对应的各种拓扑结构的48 V电源架构的DC-DC电源转换中的GaN FET。首先涵盖GaN FET的开关特性分析;然后将 GaN FET用于开发各种48 V降压转换器,从同步降压、多电平和多相转换器到LLC谐振转换器;最后提供了选择合适GaN FET的指南。与传统基于MOSFET的转换器相比,这些基于GaN FET的转换器在不增加成本的情况下功率效率和功率密度显著提高。