富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制
Photoluminescence Mechanism of Silicon-Rich Silicon Nitride Thin Films作者机构：华侨大学信息科学与工程学院福建泉州362021
出 版 物：《华侨大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huaqiao University(Natural Science))
年 卷 期：2007年第28卷第2期
页 面：147-150页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金重点资助项目(60336010 60678053)
摘 要：对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果.
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