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喷墨打印金属氧化物异质结晶体管

Inkjet Printed Metal Oxide Heterojunction Thin-film Transistor

作     者:杨文宇 张国成 崔宇 陈惠鹏 YANG Wen-yu;ZHANG Guo-cheng;CUI Yu;CHEN Hui-peng

作者机构:福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室福建福州350118 福建工程学院微电子技术研究中心福建福州350118 长春工程技术学院吉林长春130012 

出 版 物:《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期:2019年第40卷第4期

页      面:497-503页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家重点研发计划(2016YFB0401103) 福建省自然科学基金(2016J01749)资助项目 

主  题:金属氧化物半导体 喷墨打印 异质结 二维电子气 

摘      要:通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×10^8。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。

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