纳米TiO_对ZnO压敏电阻的影响
Effect of nano-sized TiO_2 doping on ZnO varistor作者机构：广东省钢铁研究所广东广州510640
出 版 物：《南方金属》 (Southern Metals)
年 卷 期：2003年第2期
页 面：20-22,42页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 070205[理学-凝聚态物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
主 题：纳米TiO2 ZnO压敏电阻 晶粒助长剂 压敏电压 非线性系数 掺杂
摘 要：制作低压ZnO压敏电阻的一般方法是掺入TiO2作为晶粒助长剂.TiO2的加入可降低压敏电压和非线性系数,增加漏流,这是由于晶粒发育不均所至.而掺入纳米TiO2的ZnO压敏电阻晶粒生长较为均匀,非线性系数和静电容量增大,烧结温度下降.
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