沟道和漏极散射机制对短沟道应变硅二极管性能的影响

作     者：亚森江·吾甫尔 买买提明·艾尼 买买提热夏提·买买提 阿布都克力木·阿布都热合曼 

作者机构：新疆大学机械工程学院 新疆大学物理科学与技术学院 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2015年第S1期

页      面：106-110+117页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(61366001 61464010) 

主　　题：应变 散射 沟道和漏极区域 硅二极管 蒙特卡洛模拟方法 

摘      要：新材料应变硅已成为目前高性能小尺寸半导体器件的研究热点,研究应变硅器件散射机制有利于理解载流子输运特性的物理机制。因此沟道和漏极区域分别建立了应变模型和散射模型,采用数值模拟方法对比研究了短沟道应变硅二极管中电子的输运特性。模拟结果表明,对于漏极区域中的散射模型,非弹性散射均促使器件的性能增强,而弹性散射则导致器件性能衰弱,这是由于应变诱导的能级分裂束缚了光学声子散射;相对于沟道区域,漏极区域的应变模型和散射机制对于短沟道硅二极管性能的影响较大。因此,对于短沟道半导体器件,除了探讨沟道区域应变和散射机制之外还需要分析漏极区域应变和散射机制的影响。