Vishay推出TrenchFET Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET
出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)
年 卷 期：2013年第5期
页 面：4-5页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：TrenchFET Vishay Gen 导通电阻 栅极驱动 占位面积 电子产品 同步降压 电平转换
摘 要：2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2 mm×2 mm,在—4.5 V和—10 V栅极驱动下的导通电阻是—12 V、—20 V和—30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。
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