CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷松弛损耗机理研究

作     者：王辉 林春江 李盛涛 李建英 

作者机构：西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第8期

页      面：472-477页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50972118 50977071 51177121)资助的课题~~ 

主　　题：CaCu3Ti4O12陶瓷 介电损耗 松弛过程 Schottky势垒 

摘      要：CaCu3Ti4O12介电损耗较大且损耗机理尚不明确,因此限制了其应用.本文采用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12陶瓷,利用宽带介电温谱研究在交流小信号作用下,双Schottky势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程、载流子松弛过程以及CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗性能.研究发现,在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主,而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致,特别是活化能为0.12eV的深陷阱浓度,这是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素.降低直流电导,有利于降低低频区介电损耗;而高频区介电损耗的降低,需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸.共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷,有效降低直流电导及控制深陷阱浓度,介电损耗降低明显.