fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT

作     者：程伟 赵岩 王元 陆海燕 高汉超 陈辰 杨乃彬 CHENG Wei;ZHAO Yan;WANG Yuan;LU Haiyan;GAO Hanchao;CHEN Chen;YANG Naibin

作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2011年第31卷第5期

页      面：F0003-F0003页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：InGaAs 共基极 毫米波单片集成电路 南京电子器件研究所 数模混合电路 1/f噪声 HBT器件 通信系统 

摘      要：数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。