检索结果-南通市图书馆

优化主氢流量及C/Si比提高76.2 mm 4H-SiC同质外延浓度均匀性

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 218-222页

作者：李赟孙永强高汉超许晓军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外... 详细信息

源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均匀性、p型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为0.21%、1.13%和6.96%。基座旋转并不能完全消除外延片n型掺杂浓度不均匀性。优化主氢流量及C/Si比能够改变掺杂源的耗尽曲线,将76.2 mm SiC外延片n型掺浓度不均匀性优化至2.096%(σ/mean)。

关键词：同质外延碳化硅均匀性主氢流量碳硅比

Theoretical and Experimental Optimization of InGaAs Channels in GaAs PHEMT Structure

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Chinese Physics Letters 2015年第6期32卷 173-175页

作者：高汉超尹志军 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute

The ground-state energy level （GEL） and electron distribution of GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistors （PHEMTs） are analyzed by a self-consistent solution to the Schrodinger-Poisson equations. The indium composition and thickness of the InGaAs channel are optimized according to the GEL position. The GEL position is not in direct proportion to 1/d^2 （d is the channel thickness） by considering the influence of electron distribution in the InGaAs channel. Indium composition 0.22 and channel thickness 9 nm are obtained by considering the mismatch between InGaAs and AlGaAs. Several PHEMT samples are grown according to the theoretical results and mobility 6300 cm^2 /V.s is achieved.

关键词： PHEMT Theoretical and Experimental Optimization of InGaAs Channels in GaAs PHEMT Structure

基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究

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发光学报 2013年第8期34卷 1057-1060页

作者：高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级... 详细信息

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词： GaAsSb HBT 费米能级

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

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物理学报 2007年第3期56卷 1785-1789页

作者：李志华王文新刘林生蒋中伟高汉超周均铭中国科学院物理研究所北京100080

用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能... 详细信息

用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.

关键词：分子束外延生长中断超晶格掠入射X射线反射

GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

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物理学报 2009年第1期58卷 471-476页

作者：蒋中伟王文新高汉超李辉何涛杨成良陈弘周均铭北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所北京100190

研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调... 详细信息

研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5ML,量子点的发光波长红移了约25nm,室温下PL光谱波长接近1300nm.

关键词：自组装量子点分子束外延 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体

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新艺厂挖掘企业宝贵财富 002

中国航空报

作者：高汉超

本报讯：贵州新艺机械厂按照“专业急需”和“老有所为”原则返聘部分老同志，对企业人力资源进行二次开发。新艺厂现有离退休人员近2000人。他们分别在精密铸造、冶金、模具加工、探伤、压力加工等专业岗位上工作数十?

关键词：

来源： cnki报纸评论

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质量流量计及其应用综述

化工自动化及仪表 1997年第5期24卷 62-65页

作者：任鸿威高汉超化工部北京化工研究院

质量流量计及其应用综述任鸿威高汉超（化工部北京化工研究院，北京，１０００１３）１前言流量测量技术是发展的比较早、且至今仍在迅速发展的科学，流量测量在工业、商业、交通等各个部门均有极广泛的应用。在工业生产过程各种参数（... 详细信息

质量流量计及其应用综述任鸿威高汉超（化工部北京化工研究院，北京，１０００１３）１前言流量测量技术是发展的比较早、且至今仍在迅速发展的科学，流量测量在工业、商业、交通等各个部门均有极广泛的应用。在工业生产过程各种参数（如压力、温度、液位等）的测量中，以...

关键词：质量流量计应用综述流量测量

0.25μm发射极InP DHBT材料生长与器件性能研究

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固体电子学研究与进展 2023年第6期43卷 510-513页

作者：马奔于海龙戴姜平王伟高汉超李忠辉南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

采用固态源分子束外延系统(SSMBE),研究InP双异质结双极晶体管(DHBT)的结构设计及外延生长技术。通过采用碳掺杂浓度和InGaAs组分双缓变的基区生长工艺,提高基区的内建电场,加速载流子的渡越,提高基于0.25μm发射极工艺InP DHBT器件的... 详细信息

采用固态源分子束外延系统(SSMBE),研究InP双异质结双极晶体管(DHBT)的结构设计及外延生长技术。通过采用碳掺杂浓度和InGaAs组分双缓变的基区生长工艺,提高基区的内建电场,加速载流子的渡越,提高基于0.25μm发射极工艺InP DHBT器件的频率性能。此外,InGaAs帽层材料通过双Si源掺杂以及调控生长条件,实现高N型掺杂,材料表面粗糙度为0.42 nm。利用该双缓变基区以及高N型掺杂帽层生长工艺,制备0.25μm发射极InP DHBT器件,其增益为29,击穿电压为3.8 V,在工作电流密度为5.7 mA/μm2时,电流增益截止频率为403 GHz,最大振荡频率达到660 GHz。

关键词：分子束外延双异质结晶体管铟镓砷截止频率

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半导体致冷器在水质分析仪上的应用

石油化工 1979年第3期 180-182页

作者：林振锋高汉超北京化工研究院北京化工研究院

本文简述半导体致冷技术的原理,结合水质总有机碳分析仪的应用,介绍了主要部件的制作工艺、结构和电子控制线路。

关键词：半导体致冷器电流温差电致冷器电堆捕水器水质分析仪