非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析
Three Dimensional Simulation and Analysis of Phase Change Random Access Memory Cell with an Asymmetric Structure作者机构：华中科技大学光电国家实验室信息存储部武汉430074 山东华芯半导体有限公司济南250101
出 版 物：《计算机与数字工程》 (Computer & Digital Engineering)
年 卷 期：2011年第39卷第5期
页 面：10-12,32页
学科分类：081203[工学-计算机应用技术] 08[工学] 0835[工学-软件工程] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
基 金：国家863高技术研究发展计划(编号:2009AA01Z113 2009AA01A402)资助
摘 要：文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟。模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元。
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