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面向居民家庭智慧用能的随器量测模块设计与应用

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现代电子技术 2024年第13期47卷 180-186页

作者：陈贺娜郝伟琦曹波康守信王丙休王贤辉北京智芯微电子科技有限公司北京102200 北京智芯半导体科技有限公司北京102299

针对低压居民用户用能负荷感知、测量、采集和调控需求,文中研究了面向居民家庭智慧用能的随器量测模块设计与应用技术。首先,分析了居民家庭智慧用能双向互动的业务场景;接着,进行了随器量测模块的硬件和软件设计,通过搭载高精度计量... 详细信息

针对低压居民用户用能负荷感知、测量、采集和调控需求,文中研究了面向居民家庭智慧用能的随器量测模块设计与应用技术。首先,分析了居民家庭智慧用能双向互动的业务场景;接着,进行了随器量测模块的硬件和软件设计,通过搭载高精度计量芯片、HPLC+HRF双模通信芯片和内嵌随器量测软件协议栈,实现了用电设备的嵌入式计量、通信、控制等主要功能。所研制随器量测模块经第三方机构检测,计量精度达到1级,采样频率优于20 kHz,满足用电设备高效双向通信需求。该技术在河北开展了智慧用能示范应用,实现了居民负荷电器级深度感知和精准调节,得到工程实践的验证。

关键词：智慧用能随器量测用电设备负荷调节 HPLC+HRF双模通信芯片深度感知

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低时延低复杂度QC-LDPC编码技术

微电子学与计算机 2024年

作者：马林曾昭贵刘奇浩崔子浩石鹏郭鹏钟戟山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司山东华芯半导体有限公司

针对QC-LDPC编码时延大、编码复杂度高、硬件实现代价大的问题，提出了一种低时延、低复杂度的QC-LDPC编码技术。该技术引入LDPC+OD＿BCH按需级联架构，采用BCH按需级联方式，针对LDPC译码失败情况下错误易出现的位置进行BCH按需级联，... 详细信息

针对QC-LDPC编码时延大、编码复杂度高、硬件实现代价大的问题，提出了一种低时延、低复杂度的QC-LDPC编码技术。该技术引入LDPC+OD＿BCH按需级联架构，采用BCH按需级联方式，针对LDPC译码失败情况下错误易出现的位置进行BCH按需级联，提高LDPC译码成功概率，提升LDPC纠错性能，同时解决传统级联编码开销大的问题。通过对LDPC校验矩阵的格式优化，减少LDPC编码过程中的矩阵计算逻辑，降低编码的逻辑复杂度。在硬件实现层面，在编码复杂度优化基础上，采用全并行架构设计，对LDPC+OD＿BCH编码技术进行了纠错性能、编码时延、编码复杂度的对比分析。结果表明，该论文所提出的低时延、低复杂度的LDPC按需级联BCH编码技术，相比于标准LDPC码字，其纠错能力提升近3个数量级，编码时延相比于传统LDPC编码方案降低17%～38%，编码复杂度降低近40%。

关键词： LDPC BCH 校验矩阵构造低时延低复杂度

12英寸超级结-沟槽栅MOSFET器件和工艺研究

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微电子学 2024年

作者：刘冬华许昭昭钱文生上海华虹宏力半导体制造有限公司华虹半导体(无锡)有限公司

超级结MOSFET是高压分立器件中的重要分支。但是超级结在中-低压段，特别是在低压段器件中应用较少且相关研究也不多。因此，研究中-低压段的超级结制作工艺，有利于采用超级结改善低压器件的综合特性。仿真显示，传统沟槽栅极器件的Rs... 详细信息

超级结MOSFET是高压分立器件中的重要分支。但是超级结在中-低压段，特别是在低压段器件中应用较少且相关研究也不多。因此，研究中-低压段的超级结制作工艺，有利于采用超级结改善低压器件的综合特性。仿真显示，传统沟槽栅极器件的Rsp优化余地有限，但是采用超级结，器件的Rsp可降低超50%。实验结果显示，超级结-沟槽栅器件的BV达85 V，与仿真一致。阈值电压偏高且Rsp改善20%。这表明超级结-沟槽栅在中-低压段分立器件中有非常大的实用价值，相比沟槽栅器件，Rsp改善预估在35%～40%之间。

关键词：沟槽MOSFET 超级结元胞特征导通电阻高能注入

平面栅极碳化硅垂直MOSFET功率器件栅氧可靠性筛选研究进展综述

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中国集成电路 2024年第9期33卷 16-23页

作者：司乙川广东芯粤能半导体有限公司

随着碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件的广泛应用,其面临的栅极可靠性问题亟待解决,本文回顾了平面栅极碳化硅垂直MOSFET功率器件的栅极结构以及目前业界常用的栅氧筛选方法,介绍了栅氧早期失效物理模型并且讨论了... 详细信息

随着碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件的广泛应用,其面临的栅极可靠性问题亟待解决,本文回顾了平面栅极碳化硅垂直MOSFET功率器件的栅极结构以及目前业界常用的栅氧筛选方法,介绍了栅氧早期失效物理模型并且讨论了这些物理模型与筛选方法之间的适用性。

关键词：碳化硅功率半导体栅极氧化层可靠性筛选

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1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计

半导体技术 2024年第4期49卷 310-315,329页

作者：郑婷婷南京南瑞半导体有限公司南京211100

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、... 详细信息

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。

关键词：精细沟槽栅结构绝缘栅双极型晶体管(IGBT) TCAD仿真元胞结构器件性价比

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究（特邀）

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激光与光电子学进展 2024年第3期 21-26页

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院东莞南方半导体科技有限公司

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对，并在内建电场作用下发生分离。其中，光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移，... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对，并在内建电场作用下发生分离。其中，光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移，而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下，载流子将发生碰撞，造成光电流倍增，使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此，器件在-2 V偏压条件和5μW/cm2紫外光照射下，展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×1015Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用，为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓二维/三维金属有机化学气相沉积紫外探测器

不同解码方案下的星地融合网络混合多址接入性能分析

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电子与信息学报 2024年第09期46卷 3528-3536页

作者：戴叶玲郭焱朱丽文刘笑宇丁昌峰林敏南京邮电大学通信与信息工程学院展讯半导体(南京)有限公司

该文针对地面中继辅助的星地融合网络(ISTNs)，分析了卫星采用不同解码方案时系统性能的差异。首先，提出一种新颖的用户配对方案，通过位置信息将卫星波束覆盖范围内的多个用户分为若干个组。接着，为了提高传输可靠性以及频谱利用率... 详细信息

该文针对地面中继辅助的星地融合网络(ISTNs)，分析了卫星采用不同解码方案时系统性能的差异。首先，提出一种新颖的用户配对方案，通过位置信息将卫星波束覆盖范围内的多个用户分为若干个组。接着，为了提高传输可靠性以及频谱利用率，用户采用混合多址接入技术与卫星进行通信。进一步，在考虑用户-地面中继链路服从Nakagami-m分布，地面中继-卫星链路服从相关阴影莱斯分布的情况下，分别推导出基于连续干扰消除(SIC)和联合解码(JD)两种解码方案的系统中断概率和吞吐量的闭合表达式。最后，计算机仿真验证了理论分析的正确性和所提方案相比正交多址(OMA)方案的优越性，并揭示了JD解码技术在ISTNs中的可行性。

关键词：星地融合网络用户配对方案混合多址接入连续干扰消除联合解码

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究(特邀)

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激光与光电子学进展 2024年第3期61卷 1-6页

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院广东广州510631 东莞南方半导体科技有限公司广东东莞523781

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下,载流子将发生碰撞,造成光电流倍增,使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此,器件在-2 V偏压条件和5μW/cm^(2)紫外光照射下,展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×10^(15)Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用,为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓二维/三维金属有机化学气相沉积紫外探测器

国有企业应与时俱进全面优化人力资源培训工作

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中国商界 2024年第1期 158-160页

作者：茅天玮北京智芯半导体科技有限公司

国有企业为国家的经济增长作出了巨大的贡献。然而,在市场经济的冲击下,国有企业也面临一系列挑战和问题,包括效率低下、创新能力不足等。为了提升国有企业的竞争力和可持续发展能力,人力资源培训变得非常重要。人力资源培训可以帮助国... 详细信息

国有企业为国家的经济增长作出了巨大的贡献。然而,在市场经济的冲击下,国有企业也面临一系列挑战和问题,包括效率低下、创新能力不足等。为了提升国有企业的竞争力和可持续发展能力,人力资源培训变得非常重要。人力资源培训可以帮助国有企业提升员工的素质和能力,加强组织的核心竞争力,提高企业运营效率和创新能力。因此,需要对国有企业人力资源培训进行深入研究,以提供相应的管理策略和方法。

关键词：人力资源培训国有企业企业运营效率核心竞争力可持续发展能力创新能力企业的竞争力全面优化

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