不同碳基体CVD SiC涂层的制备及其微观结构研究

作     者：王昊 黄东 何雨恬 王秀连 邓畅光 林松盛 WANG Hao;HUANG Dong;HE Yutian;WANG Xiulian;DENG Changguang;LIN Songsheng

作者机构：广东省新材料研究所现代材料表面工程技术国家工程实验室广东省现代表面工程技术重点实验室广东广州510650 湖南东映碳材料科技有限公司湖南长沙410083 中南大学粉末冶金国家重点实验室湖南长沙410083 

出 版 物：《材料研究与应用》 (Materials Research and Application)

年 卷 期：2019年第13卷第1期

页      面：15-21页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：广东省科技计划项目(2017A070701027,2017A070702016,2014B070705007) 广东省科学院创新能力建设项目(2017GDASCX-0111,2017GDASCX-0202,2018GDASCX-0111,2018GDASCX-0402,2019GDASYL-0402004) 广东省科学院创新人才引进资助项目(2018GDASCX-0948) 中国航发创新基金(ZGHF-ZL-2017-C068) 

主　　题：CVD SiC 微观结构 SiC晶须 

摘      要：分别以高纯石墨、细颗粒石墨及低密度的C/C复合材料为基体,以MTS为SiC的先驱体原料,采用化学气相沉积工艺制备SiC涂层.通过扫描电镜(SEM)观察CVDSiC涂层的微观形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析其晶体结构.研究发现,在不同沉积基体上沉积的SiC晶体形貌不同.以高纯石墨为基体的试样表面基本不存在SiC晶须的生长特征;以细颗粒石墨为基体的试样的表面发现了SiC晶须的生长特征,且基体内部的SiC晶体具有一定的CVI特征,即靠近基体内部沉积的SiC晶体逐渐由SiC晶须变为SiC纳米线;以C/C复合材料为基体的试样内部和表面沉积的SiC晶体表现出多元化的形貌,以层状SiC晶体和SiC晶须为主,主要是由基体材料微观结构的多元化而导致沉积的微区气氛有所不同造成的.