空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究

作     者：高欣 王俊 冯展祖 汪伟 杨生胜 尹飞 黄新宁 薛玉雄 把得东 GAO Xin;WANG Jun;FENG Zhanzu;WANG Wei;YANG Shengsheng;YIN Fei;HUANG Xinning;XUE Yuxiong;BA Dedong

作者机构：真空技术与物理国家级重点实验室 兰州空间技术物理研究所兰州730000 空间环境材料行为及评价技术国家级重点实验室 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室西安710119 

出 版 物：《航天器环境工程》 (Spacecraft Environment Engineering)

年 卷 期：2019年第36卷第2期

页      面：139-145页

学科分类：080703[工学-动力机械及工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金项目(编号:11475078) 装备预研抗辐射加固基金项目(编号:6140A24XXXXXX) 

主　　题：PIN光电二极管 暗电流 光电流 光谱响应 辐射效应 电离总剂量效应 位移损伤效应 

摘      要：利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件在空间辐射环境中的适用性。基于辐照前后器件的暗电流、光电流、光谱响应、电容等参数随辐照剂量变化的测试数据,对各参数受辐照影响的程度和不同辐照模拟源对光电器件造成的辐射损伤差异进行了比较分析。结果表明:PIN光电二极管的暗电流是受辐照影响最严重的参数,而光电流、光谱响应、电容等参数受辐照影响较小;暗电流增加主要与质子和中子辐照引入的非辐射复合中心有关,并与位移损伤剂量基本成线性关系。