直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀

作     者：李战春 尹盛 赵亮 王敬义 Li Zhanchun;Yin Sheng;Zhao Liang;Wang Jing yi

作者机构：华中科技大学网络与计算中心湖北武汉430074 华中科技大学电子科学技术系湖北武汉430074 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2008年第36卷第7期

页      面：41-44页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080603[工学-有色金属冶金] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0806[工学-冶金工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10475029) 

主　　题：等离子体 粉粒表面刻蚀 沉降时间 刻蚀速率 

摘      要：在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建立了包括高能中性粒子贡献的刻蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×10^15/（cm^2·s）以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5-10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现.