利用P-MBE制备高质量Mg_xZn_(1-x)O的结构和光学特性

作     者：宿世臣 吕有明 张振中 李炳辉 姚斌 申德振 范希武 SU Shi-chen;LU You-ming;ZHANG Zhen-zhong;LI Bing-hui;YAO Bin;SHEN De-zhen;FAN Xi-wu

作者机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2008年第29卷第2期

页      面：309-312页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金重点基金(60336020 50532050) "973"计划(2006CB60406)资助项目 

主　　题：氧化锌镁 等离子体辅助分子束外延 光致发光 

摘      要：利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随着Mg组份的增加,MgxZn1-xO的X射线衍射的(002)衍射峰逐渐向大角度方向移动。对样品进行光致发光(PL)谱的测量,在室温下观察到了较强的紫外发光。随Mg浓度的增加,紫外发光峰向高能侧移动,并且发光峰逐渐展宽。通过对x=0.15的样品进行变温光谱的测量研究了紫外发光峰起因,得到了MgxZn1-xO的发光是来自于自由激子的发光。自由激子束缚能为54meV。