SiGe层中载流子迁移率研究简况
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1993年第23卷第5期
页 面：60-60,70页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：近些年来的研究结果认为,用Si_(1-x)Ge_x伪晶作成的异质结晶体管是采用硅工艺制作的高速高频器件的最大竞争对手。它的发展速度很快,在很短的时间内就从实验室内的珍品发展成为以硅工艺为基础的速度最快的双极晶体管,不仅设计制成了n-p-n和p-n-p管,而且制成了Si_(1-x)Ge_x伪晶异质结晶体管(PHBT)的集成电路,并获得满意的结果。采用二维漂移扩散(DD)模拟和一维流体学模拟(HD)来分析这类晶体管的高频性能,证明它们的f_r为70GHz左右。
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