膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响

作     者：范素华 张伟 王培吉 张丰庆 冯博楷 马建平 FAN Su-hua;ZHANG Wei;WANG Pei-ji;ZHANG Feng-qing;FENG Bo-kai;MA Jian-ping

作者机构：山东建筑大学材料科学与工程学院济南250101 济南大学理学院济南250022 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2008年第37卷第2期

页      面：466-470页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：山东省自然科学基金项目(Y2007F36) 国家自然科学基金项目(No.60471042) 

主　　题：钙锶铋钛薄膜 Nd掺杂 铁电性能 Sol-gel法 膜厚 

摘      要：采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I(200)/[I(119)+I(00l)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm。