化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究

作     者：朱大鹏 王立春 胡永达 罗乐 ZHU Da-peng;WANG Li-chun;HU Yong-da;LUO Le

作者机构：中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2006年第25卷第11期

页      面：40-43页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：半导体技术 化学镀Ni-P 纯锡凸点 高温回流 Ni3sn4金属间化合物 

摘      要：采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。