真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性

作     者：张冠军 严璋 刘源兴 安冈康一 石井彰三 

作者机构：西安交通大学电气工程学院710049 东京工业大学电气电子工程系 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2000年第15卷第5期

页      面：53-57页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：硅半导体 泄漏电流 沿面闪络 冲击电压 真空 

摘      要：在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响 ,在沿面闪络之前 ,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流 ,而表面处理过的试品表现为空间电荷限制电流特性 ;同时两类试品表面的放电通道也表现出不同的特征。提出了一个新的模型来描述半导体材料沿面闪络的发展过程 ,即由焦耳热效应诱导的电流细丝现象而发展成最终的闪络 ,并认为这是一个发生在半导体表层内的过程 ,在靠近真空的侧面这一表层厚度约为 2 μm。