Ni_3[Ge_2O_5](OH)_4纳米盘的制备与表征

作     者：马国华 刘永刚 彭同江 吴卫东 姬广富 MA Guo-Hua;LIU Yong-Gang;PENG Tong-Jiang;WU Wei-Dong;JI Guang-Fu

作者机构：中国工程物理研究院激光聚变中心绵阳621002 西南科技大学分析测试中心绵阳621010 中国工程物理研究院流体物理研究所绵阳621900 

出 版 物：《四川大学学报（自然科学版）》 (Journal of Sichuan University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2013年第50卷第3期

页      面：590-594页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家自然科学基金(51002126) 

主　　题：纳米盘 纤蛇纹石 水热合成 Ni3[Ge2O5](OH)4 

摘      要：基于改变阳离子半径对蛇纹石结构层的可调性,以氧化锗和氢氧化镍为原料,通过水热法合成了Ni3[Ge2O5](OH)4纳米盘.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和红外光谱仪(FTIR)等手段对不同反应时间合成样品的物相、形貌和结构进行了分析表征.结构分析表明,合成样品为纤蛇纹石结构,其晶胞参数为a=5.300,b=9.199,c=14.631,α=γ=90°,β=93.51°.形貌分析表明,样品为六边形纳米盘状,其粒径约为0.2～1μm.分析认为,样品生长过程与蛇纹石层生长机理相一致。