薄膜气敏元件用扩散电阻型热子的研制
作者机构：吉林大学
出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)
年 卷 期：1990年第3卷第3期
页 面：63-64页
核心收录：
学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
主 题：气敏元件 电阻型 平面工艺 时间间隔 综合文献 工作温度 热容 扩散法 电阻阻值 热损耗
摘 要：作者综合文献[4,5]和[3]的构思制得如图1所示结构的气敏元件.其特点,在采用了硅平面工艺技术的扩散法制成的热子.如此,既符合集成化制作趋势,又省去另制热子的麻烦.1.热子设计思路（1）假设元件工作在绝热状态下,并认为SiO2层和气敏膜的热容较衬底硅片的热容小甚多,可忽略不计.则面积为A、厚度为D、密度为η、比热为Cp的硅片,在时间间隔τ内,由室温t0
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