CuO掺杂对Ba_(0.96)(Bi_(0.5)K_(0.5))_(0.04)TiO_3陶瓷烧结行为和介电性能的影响
Effect of CuO Doping on Sintering Behavior and Dielectric Properties of Ba_(0.96)( Bi_(0.5)K_(0.5))_(0.04)TiO_3 Ceramics作者机构:陕西科技大学材料科学与工程学院西安710021
出 版 物:《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期:2014年第43卷第10期
页 面:2620-2624页
核心收录:
学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:国家自然科学基金(51372144) 教育部"新世纪优秀人才支持计划"(NCET-11-1042) 陕西省重点科技创新团队(2014KCT-06) 陕西省科技厅国际合作项目(2012KW-06)基金支持
主 题:氧化铜 Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3 烧结温度 居里温度 介电性能
摘 要:采用固相法制备了Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3-xCuO(x=0-0.05)陶瓷,通过XRD、SEM和阻抗分析仪等测试手段研究了CuO掺杂对Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3陶瓷烧结温度、相组成、显微结构和介电性能的影响。结果表明:在x=0-0.05掺杂浓度范围内,所有陶瓷样品均为钙钛矿结构,且没有第二相的生成。当x≤0.03时,CuO与Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3形成固溶体,Cu^2+进入晶格取代Ti^4+的位置。在x=0.02时,陶瓷样品的四方率c/a达到最大,居里温度TC最高为148.5℃。当x≥0.04时,过量的CuO在晶界处形成液相,显著降低烧结温度。当x=0.05时,烧结温度降为1275℃,由于液相的产生,陶瓷样品致密度提高,内部缺陷减少,介电损耗最小。在掺杂CuO的陶瓷样品中,介电常数先增大后减小,在x=0.01时达到最大。